面向半导体晶圆利用的复合衬底解决规划。。。。。通过CVD技术在硅(Si)或碳化硅(SiC)晶圆表表沉积金刚石层，，，，，，兼具Si/SiC的半导体兼容性与金刚石资料固有的高热导个性。。。。。在保障晶圆根基属性的前提下，，，，，，实现更高效的热治理机能，，，，，，有效缓解高功率半导体器件的散热挑战，，，，，，适配晶圆级批量加工需要。。。。。